半导体装置.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/27 8:26:35
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简介:

本实用新型涉及半导体装置。本实用新型所要解决的技术问题之一是减小半导体装置的导通电阻。提供了一种半导体装置,其包括:第一导电类型的半导体材料的区域,其具有主要表面;沟槽,其从所述主要表面延伸到所述半导体材料的区域中;第一介电层,其形成在所述沟槽内并且邻近所述沟槽的侧壁表面,其中所述第一介电层包括第一屏蔽层、栅极层和第二屏蔽层。所述半导体装置还包括第一屏蔽电极、栅极、第二屏蔽电极以及第二导电类型的体区。本实用新型能够用于电子系统。本实用新型的有利技术效果之一是半导体装置的导通电阻能够减小。此外,半导体装置能够以节省成本的方式制造。

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