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本实用新型提供一种双标记板堆叠式管芯封装件。要解决的技术问题之一是提供具有更好性能、更小形状因子、更高级管脚输出布置以及具有改进的制造性和可靠性的集成电路封装。半导体封装件包括第一管芯标记板和第二管芯标记板。第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯分别处在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上。功率控制集成电路IC堆叠在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上。模制化合物封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯以及所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板。取得的有益技术效果之一是取得了具有更好性能、更小形状因子、更高级管脚输出布置以及具有改进的制造性和可靠性的集成电路封装。本实用新型还提供半导体封装件。
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