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锤子
简介：
在本专利申请中涉及一种半导体器件,包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触相接触的沟槽导电材料,所述沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。
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