GBT 4937.22-2018 半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度.pdf

1范围和目的 GB/T 4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。 1.1 试验说明 规定了7种试验方法，每种试验方法目的不同，分别如下： ——方法A和方法B:通过对内引线直接施加拉力来测试器件内部的键合强度； ——方法C:用于器件外部的键合，在引线或引出端与布线板或基底之间施加拉脱应力； ——方法D:用于内部键合，在芯片和基底之间或对类似的面键合结构施加剪切应力； ——方法E和方法F:用于外部键合，在芯片和基底之间施加推开应力或拉开应力； ——方法G:用于测试引线键合抗剪切力的强度。 1.2试验装置(适用于所有方法) 试验装置应包括按规定的试验方法要求，在键合点、引线或引出端上施加规定应力的设备。该设备能对失效时施加的应力(以N为单位)提供经过校准的测量和指示。该设备测量100mN以内的力(包括100 mN)应具有土2.5mN的精度，测量100mN到500 mN之间的力应具有土5mN的精度，测量超过500mN的力，应具有指示值的士2.5%的精度。