原子层沉积技术（ALD）

原子层淀积ALD技术 原子层淀积(ALD)技术正逐渐成为了微电子器件制造领域的必须。ALD技术于1977年首次由Tuomo Suntola博士发明，他利用ZnC12和H2S来淀积应用于电致发光器件中的硫化锌薄膜。多年来，原子层淀积技术的应用范围涉及从液晶显示面板(LCD panel)到工业涂层等多种领域，目前，该技术正被开拓到先进微电子制造工艺中，例如制备用于晶体管栅堆垛及电容器中的高k介质和金属薄膜、铜阻挡/籽晶膜、刻蚀终止层、多种间隙层和薄膜扩散阻挡层、磁头以及非挥发存储器等。 ALD 相比传统的MOCVD和PVD等淀积工艺具有先天的优势。它充分利用表面饱和反应（surface saturation reactions），天生具备厚度控制和高度的稳定性能，对温度和反应物通量的变化不太敏感。这样得到的薄膜既具有高纯度又具有高密度，既平整又具有高 度的保型性，即使对于纵宽比高达100:1的结构也可实现良好的阶梯覆盖。ALD也顺应工业界向更低的热预算发展的趋势，多数工艺都可以在400摄氏度以 下进行，而传统的化学气相淀积工艺要在500摄氏度以上完成。