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研究了盐酸克伦特罗(CLB)在纳米CeO 修饰碳糊电极上的电化学行为。结果表明:在0.10 mol·L 的HC10 溶液中,CLB于+0.40 V(VS SCE)左右处产生1对准可逆的氧化还原峰。与裸碳糊电极相比,CLB在修饰电极上的电流响应明显增大,据此建立了尿样中CLB的微分脉冲伏安测定方法。线性范围为5.0×10-9 6. 0×10~tool·L (r=0.998 2,n=7),检出限为2.5 X 10一mol·L (3sh),加标回收率为96% ~104% 。
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