用户论文(2005):STM“接触”式测量中的整流效应

  1. 类别:分析方法/应用文章
  2. 上传人:上海爱建纳米科技发展有限公司
  3. 上传时间:2006/5/15 21:24:49
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简介:

【中文摘要】 在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。 【英文摘要】 On I-V measurement of Ag-TCNQ thin film by Scanning Tunneling Microscope(STM) of contact mode,rectifying effect caused by Schottky barrier is found.It supplies a new design idea for application of organic compounds on electronics,so as to create new types of organic electronic devices.

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