镧离子掺杂类普鲁士蓝复合汞膜电极的制备及电分析测定铅

迄今汞膜电极仍被广泛地应用在负电位区间的电位窗宽，可与许多金属生成汞齐等用于环境样品中定量检测痕量、超痕量重金属离子及有电氧化还原特性的生化物质． 玻碳汞膜电极( GC /MFE) 或金属汞膜电极表面上的汞常由于不同的分布状态，膜上负载的汞量会随着测定次数增加而损耗，影响测定数据的重复性和分析结果的重现性．尝试以不同的方法改进汞膜的组装，构建化学修饰型复合汞膜电极并用于痕量重金属的溶出法测定，以多核氰桥无机导电聚合物为内膜修饰层的复合汞膜电极是有效的手段之一． 无机多核过渡金属氰桥化合物的类普鲁士蓝( PB) 材料以其包含［Fe( CN)6］3 － /［Fe( CN)6］4 － 优良电子传递能力的氧化还原电子对，同时有类似于有机聚合物的三维网状结构、化学稳定性好、制备简单和成本低的特点．拟以玻璃碳基电极( GC) 为基底，分别制备镧离子和钴离子掺杂类普鲁士蓝修饰的复合汞膜电极，并与直接在基底表面镀汞膜( GC/MFE) 对比，期能筛选出稳定性、灵敏度以及抗有机共存物污染能力得到明显改善，可应用于微量Pb2 + 测定的新型复合汞膜电极．