您还有0次抽奖机会
锤子
用户论文(2006)：<b>《材料研究学报》</b>The properties of ZnO/SiC/Si heterostructure
- 类别：分析方法/应用文章
- 上传人：上海爱建纳米科技发展有限公司
- 上传时间：2006/9/5 9:51:03
- 文件大小：578K
- 下载次数：126
-
消耗积分 : 免积分
简介：
用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO／SiC／Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO／SiC／Si和ZnO／Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性．结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层．这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低．
打开失败或需在电脑查看，请在电脑上的资料中心栏目，点击"我的下载"。建议使用手机自带浏览器。
下载该资料的还下载了
推荐学习更多>>
-
￥50 -
￥50
-
￥50
-
￥50
- 注意：
- 1、下载文件需消耗流量，最好在wifi的环境中下载，如果使用3G、4G下载，请注意文件大小。
- 2、下载的文件一般是pdf、word文件，下载后如不能直接浏览，可到应用商店中下载相应的阅读器APP。
- 3、下载的文件如需解压缩，如果手机没有安装解压缩软件，可到应用商店中下载相应的解压缩APP。