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锤子
用户论文(2006)：<b>《材料研究学报》</b>Effect of carbonization on the heteroepitaxial growth of SiC films on Si substrates
- 类别：分析方法/应用文章
- 上传人：上海爱建纳米科技发展有限公司
- 上传时间：2006/9/5 9:57:47
- 文件大小：524K
- 下载次数：736
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简介：
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜, 研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响．结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低．最佳的碳化条件为:开始碳化温度 1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm．
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