光耦合器的技术特性与应用 (四)---通用型与达林顿型光耦合器区分

光耦合器的技术特性与应用 4.通用型与达林顿型光耦合器区分 4.1方法之一 在通用型光耦合器中，接收器是一只硅光电半导体管，因此在B-E之间只有一个硅PN结。达林顿型不然，它由复合管构成，两个硅PN结串联成复合管的发射结。根据上述差别，很容易将通用型与达林顿型光耦合器区分开来。具体方法是，将万用表拨至R×100档，黑表笔接B极，红表笔接E极，采用读取电压法求出发射结正向电压VBE。若VBE=0.55～0.7V，就是达林顿型光耦合器。 实例：用500型万用表的R×100档分别测量4N35、4N30型光耦合器的VBE，测量数据及结论一并列入表2中。 表2测试结果 型号 RBE（Ω） n`（格） VBE（V） 计算公式 测试结论 4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用型 4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 达林顿型 4.2方法之二 　　通用型与达林顿型光电耦合的主要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hFE为几十倍至几百倍，后者可达数千倍，二者相差1～2个数量级。因此，只要准确测量出hFE值，即可加以区分。在测量时应注意事项： （1）因为达林顿型光耦合器的hFE值很高，所以表针两次偏转格数非常接近。准确读出n1、 n2的格数是本方法关键所在，否则将引起较大的误差。此外，欧姆零点亦应事先调准。 （2）若4N30中的发射管损坏，但接收管未发现故障，则可代替超β管使用。同理，倘若4N35中的接收管完好无损，也可作普通硅NPN晶体管使用，实现废物利用。 （3）对于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器，本方法不再适用。建议采用测电流传输比CTR的方法加以区分。