ICP-MS讲座:20. ICP-MS的氧化物干扰和双原子离子干扰

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  3. 上传时间:2002/6/17 9:29:45
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简介:

 

ICP-MS分析中氧化物响应的程度通常以氧化物峰大小对金属峰大小的比值MO/M表示,经常用百分数。这是正确的比值MO/(MO+M)的近似,因为正常操作条件下极少超过5%,这种近似是可以接受的。水溶液中的样品在原子化时由水蒸汽分解产生过量的氧原子,因而随分析物导入的水量影响MO的分解程度,无论分解的细节如何。气动雾化器用于产生样品气溶胶,液滴随分析物一起进入ICP,且雾滴太浓,气流无法吹干,因而湿的喷雾室表面也蒸发出水蒸汽进入ICP。在室温从蒸发而传输的水量可多至喷雾室气溶胶传输的三倍,冷却喷雾室可使水蒸汽显著减少。导入ICP的水量还影响等离子体的平衡,一方面分解它需要能量因而影响温度,另一方面使HO原子的数量改变,而它们的电离能比别的等离子体主要成份Ar要低得多。减少导入水量可能使ICP更适合作为离子源,特别是较低的O含量能减少谱图中氧化物离子的比例。约低于约7℃的温度可将水蒸汽含量减至可忽略的水平,更重要的是可使它稳定。一个更重要的参数是入射气流速度,因为它将决定所在轴线上分解完成的位置。用通常所用气流速度,等离子体中这一点正好在离子被提取的位置前,但当气流速度增加时,需要在最热区域停留一定时间的分解将发生在轴线更深处,未分解的氧化物离子得以进入膨胀阶段,因而氧化物比例上升。不管什么原因,如雾化器类型的改变或最大响应的需要,只要需要使气流速度高于正常水平,就必须谨慎以使氧化物不超过可接受的水平。一个系统的正确操作应该保证氧化物形成区离提取孔很近。

    Ce为例,用ICP-oa-TOF-MS测量,其氧化物离子的形成情况如图所示。由于用ICP-oa-TOF-MS的分辨率比四极杆ICP-MS的高,故在这里Ce的氧化物离子并没有形成干扰。

 

如果双电荷离子的产率能随等离子体或提取参数的改变而临时增加,且质量分析器有充足的分辨率,要测的离子可用双电荷形式测定。双电荷离子干扰较为少见,且可通过校正解决。

B为例,在四极杆ICP-MS中,11B10B都没有氧化物干扰和双电荷离子干扰,但在高分辨ICP-MS中,10B受到20Ne双电荷离子的干扰,干扰的理论预计与实际情况(分辨率为300)如下图所示,尽管干扰很严重,但由于高分辨率ICPMS中的峰形为平顶峰,由图中可见硼-10峰顶仍然有很宽的平台,完全可以进行定量测量。

 

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