ICP-MS讲座:24. ICP-MS测量中的物理效应

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简介:

 ICP-MS中有两种物理干扰,一种是ICP-MS独有的,另一种与ICP-AES中的很相似。后者是样品顺序测量中样品溶液替换时观察到的记忆效应。在开始急剧下降后信号衰减相对缓慢,具体情况取决于观察的离子。信号衰减到0.1%的最大信号水平一般在2~3分钟之后,但接下来信号衰减的速度要慢得多,衰减到最大信号的0.01%的清洗时间可能就长得无法接受了。这种效应与ICP-AES中的效应很相似,但用MS可观察到更低的衰减水平,因而记忆效应显得更严重。记忆效应主要是由于喷雾室和玻璃用具及炬管的壁上沉积分析物的挥发,因而较易挥发的成份如PbCdLiBI的化合物的溶液其记忆效应较严重些,而难挥发的如U其记忆效应则相对较少。假若在运行中谨慎,样品前导入的标准的浓度并非极高,一般记忆效应很少引起真正的问题。使用仪器前小心地清洗玻璃用具,且对相互冲突的样品类型用各自的一套玻璃用具也是值得的。

以硼的测量为例,已经有文献专门研究了硼测量中的记忆效应问题,选择适当的清洗试剂是解决或减小硼记忆效应的关键所在。清洗试剂实现快速清洗的确切机理尚不清楚,但其基本原理是很明确的,那就是通过清洗试剂与待测元素的化合、络合等反应使待测元素快速离开仪器的样品通道或变为难挥发的物质。醇可与硼进行络合,但有机物的引入会导致碳峰强度的显著增加,影响硼同位素比值的测量,氨水可以和硼化合为难挥发的硼酸盐,是一个比较好的清洗试剂,但硼并未从仪器样品通道中被除去,清洗后引入水或酸,硼的信号又会有所增加。

ICP-MS上独有的干扰来自提取的等离子体气流进入已冷却的锥的提取孔,在此膨胀阶段壁的一部分与等离子体接触。锥的温度因锥的材料和防止被等离子体中活性成分腐蚀而限于约500℃。这样就形成了一个等离子体已蒸发的分析物又冷凝的位置,在锥孔尖部形成一层细粉末。这种沉积的增长率和严重性取决于样品溶液的可溶固体总量和分析物基体的性质和挥发特性。用1mm或更大直径的锥孔分析少于0.1%的固体含量的溶液几乎对任何基体都是没什么问题的。沉积物的化学形式通常为氧化物,如果基体的氧化物为挥发性的,固体含量达到1%经常也可满意地运行。尽管开始是细小粉末的沉积,当沉积达到一定厚度时其表面温度将比下层金属要高,使后来的物质重新挥发,达到平衡,因而对通过锥孔的气流没有显著影响。盐水是这种基体的一个例子。较难挥发的基体,如铀基体,产生的沉积可以厚到部分堵塞锥孔,使气流提取速度下降,因而产生稳定下降的信号。然而即使是这样的基体,也经常可以用交替的样品和清洗循环,用内标保持一个稳定的信号,至少使信号下降缓慢到内标可校正的范围之内。这种情况下必须谨慎选择等离子体操作条件,如功率、入射气流速度和基体浓度,使样品在高温区域停留足够长的时间,以使气溶胶中相对较大的粒子也能充分挥发。如果它们穿过等离子体并未挥发还是固体,则会在锥孔尖部形成冷凝中心,加速沉积积累。因为它们也含有一些分析物,它们产生挥发干扰使系统在高浓度时显示非线性。

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