改进的挥硅_ICP_MS法测定高纯四氯化硅中金属杂质

  1. 类别:分析方法/应用文章
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  3. 上传时间:2007/11/21 10:34:29
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简介:

本文对钛厂回收副产物高纯四氯化硅中的9种金属杂质进行了测定。采用密封针管取样,转移塑料挥气 瓶中,恒温水浴锅控制温度(57℃)通入干燥惰性气体(N2 ) ,在塑料挥气瓶挥去基体四氯化硅,富集的金属加入硝 酸转变成溶液后定容,用电感耦合等离子质谱法( ICP - MS)直接测定其中Pb、Zn、Mn等9种微量金属杂质。用Rh 做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移。样品的加标回收率为98. 15~102. 0% ,相对标准偏差(RSD)为0. 9% ~ 3. 5% ,检出限为0. 009~0. 05μg/L。

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