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锤子
简介：
锑化铟是Ⅲ-V族化合物半导体，它具有窄禁带宽度和高迁移率等特点。在300K时，禁带宽度为0.17eV，电子迁移率约为7*10 4cm²·V-1·s-1：在77K时，禁带宽度为0.23eV，电子迁移率的6*10 5cm²V-1·s-1。在红外波段有较高的灵敏度，是一种适宜制作中波红外电探测器、霍尔器件和磁阻元件的材料。近年来用其制备的红外光电探测器已在红外跟踪
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