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研究了盐酸克伦特罗(CLB)在纳米CeO2 修饰碳糊电极上的电化学行为。结果表明: 在0110 mol·L - 1的HClO4 溶液中, CLB于+ 0140 V ( vs SCE)左右处产生1对准可逆的氧化还原峰。与裸碳糊电极相比,CLB在修饰电极上的电流响应明显增大, 据此建立了尿样中CLB 的微分脉冲伏安测定方法。线性范围为 510 ×10 - 9~610 ×10 - 6 mol·L - 1 ( r = 01998 2, n = 7) , 检出限为215 ×10 - 9 mol·L - 1 ( 3sb ) , 加标回收率为96%~104%。
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