PerkinElmer：NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质Li

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。