拉曼光谱研究半导体热退火行为
- 类别:课件讲义
- 上传人:CSEPAT
- 上传时间:2019/3/27 11:06:44
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简介:
用离子注入法向硅单晶材料掺杂时,由于注入离子与硅原子的相互作用,会引入各种类型的损伤,从而改变了硅材料的电学和光学性质。在离子注入层中制作器件之前,通常采用热退火的方法,消除注入损伤,恢复状态。
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