浆料粒径对CMP工艺缺陷水平的影响
- 类别:其他资料
- 上传人:上海奥法美嘉
- 上传时间:2021/4/20 9:02:44
- 文件大小:464K
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简介:
化学机械抛光的氧化物涉及使用磨料提供必要的整体和局部平整。虽然研究主要集中在CMP机器参数、抛光耗材和CMP清洗后等方面,但对浆料额分析主要是由浆料的制造商来完成的。本研究的目的是提供一些洞见关于浆料颗粒分布对缺陷的影响,浆液过滤的重要性,以及后CMP清洗过程对这些缺陷的脆弱性。
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