方案摘要
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随着集成电路的迅速发展,集成度越来越高,半导体芯片的生产对原材料的质量提出了更高的要求。在集成电路的制作工艺中常常会用到各种不同种类的气体,气体中不可避免的含有少量的金属杂质,这些杂质会很容易被其它介质吸收,一旦吸收,就会增加芯片表面的金属离子浓度,严重的影响器件的性能和成品率[1]。六十年代初,对气体中金属元素的分析采用分离法和比色法来测定[2],六十年代未,由于人们对环境大气污染的广泛重视,许多实验室都采用了准确度好、灵敏度高、操作简单的原子吸收法来测定。随着科学技术(如等离子体技术和CCD技术)的发展和分析领域的不断需求,在仪器分析中,既能满足生产需要,又无化学干扰和物理干扰,操作方便,分析速度快,选择性强,灵敏度高,准确度好,而且又能快速同时分析样品中的金属元素,大都采用等离子发射光谱法。 采用等离子发射光谱法测定气体中的痕量金属杂质,至今未见有文献报导。本文就是采用等离子发射光谱法测定气体中的痕量金属杂质,通过反复实验,摸索实验条件,我们建立了等离子发射光谱法测定气体中的痕量金属杂质的方法,本方法操作简单,准确可靠,可以满足于对气体中的痕量金属杂质的测定。
HS-GCMS对聚醚多元醇中的氯氟烃和氢氯氟烃的测定分析
使用NexION 2000 ICP-MS 按照ICH Q3D 和USP <232>/<233>的规定检测和验证药用抗酸剂中的1 级和2A 级元素杂质
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