ICP-OES 分析高纯度铟 (In)、镓(Ga) 中的杂质

2020/05/20   下载量： 6 次

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应用领域 半导体
检测样本 其他
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参考标准 无

高纯度精炼的镓(Ga)是半导体化合物砷化镓的主要原料，可用作高温温度计的填充物、温度标准物质及熔点较低的合金材料，是现代电子产业不可或缺的元素之一，随着高纯度镓的需求增大，对杂质含量的检验成为必不可少的环节。本文建立了利用ICP-OES分析高纯度铟 (In)、镓(Ga) 中的杂质的解决办法。

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高纯度精炼的镓(Ga)是半导体化合物砷化镓的主要原料，可用作高温温度计的填充物、温度标准物质及熔点较低的合金材料，是现代电子产业不可或缺的元素之一，随着高纯度镓的需求增大，对杂质含量的检验成为必不可少的环节。本文建立了利用ICP-OES分析高纯度铟 (In)、镓(Ga) 中的杂质的解决办法。


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文献贡献者

珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司
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