用OSP解除SECM中高度的影响--在腐蚀中的应用

2020/09/08   下载量: 0

方案摘要

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应用领域 钢铁/金属
检测样本 其他
检测项目 理化分析>其他
参考标准 腐蚀

扫描电化学显微镜(SECM)在腐蚀应用领域的重要性受到越来越多科研和商业部门的重视。SECM的高分辨率和定量分析能力为评估材料表面耐蚀性提供了一个新的方法。目前,该技术应用过程中经常受样品表面的较大形貌特征变化的影响,只能在有限的范围内实现恒高度扫描。 SECM结合非触式微区形貌测试系统(OSP),用户可以先做一个表面形貌测试,然后在SECM扫描过程中控制探针的位置。不用高度追踪,电流测量会受形貌和电化学活性的影响,获得的响应是两者的总和。用高度追踪,可以有效避免形貌的影响,测量样品电化学活性

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解除表面形貌的影响需要OSPSECM面扫描定位,使扫描区域一致,探针高度变化与样品表面特征一致。这就需要通过一个在两种技术中都可见的参照物来定位。

在下面的例子中,从一个服役多年的大众越野车底盘提取一个焊接件的一小部分,检测焊接区域内或周边的可能的优先腐蚀区。

如图1所示,样品A左边有一个平的区域,通过磨、锉或者黏附一个定位标记。这个区域用来定位OSPSECM技术。样品上感兴趣的区域遮掩起来,或者用一层丙烯酸涂料封上(样品B)。一旦覆盖层去除,暴露出来的区域将发生腐蚀。然后用尖刀在样品左侧平坦区域的丙烯酸涂料上划一个十字(样品C)。这个细凹痕将成为SECM探针和OSP传感器都能检测到的形貌位置。

1.png

1 样品准备

2.png

2 腐蚀前(A)和腐蚀后(B)的样品;放大200倍的定位十字(C


文献贡献者

华洋科仪
金牌会员第23年
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