芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列

参考价：¥100万 - 200万

型号：	PICOSUN™ ALD R-200系列
产地：	芬兰
品牌：	Picosun
评分：

核心参数

产地类别：进口
衬底尺寸： 50 – 200 mm /单片最大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳）粉末与颗粒（配备扩散增强器）多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度： 50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C）
前驱体数：液态、固态、气态、臭氧源 4根独立源管线，最多加载6个前驱体源对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气导入前驱体瓶内引出
重量： 350kg
尺寸(W x H x D)：取决于选件最小146 cm x 146 cm x 84 cm 最大189 cm x 206 cm x 111 cm
均匀性： AI2O3 (batch)-0.13 %

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产品详情

名称：原子层沉积系统
品牌：PICOSUN
产地：芬兰
型号：PICOSUN™ ALD R-200系列

芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列：PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现不错的均匀性，包括具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。

兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列 技术参数

衬底尺寸和类型	50 – 200 mm /单片最大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳）粉末与颗粒（配备扩散增强器）多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度	50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C）
基片传送选件	气动升降（手动装载）预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
前驱体	液态、固态、气态、臭氧源 4根独立源管线，最多加载6个前驱体源对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气导入前驱体瓶内引出
重量	350kg
尺寸（ W x H x D)）	取决于选件最小146 cm x 146 cm x 84 cm 最大189 cm x 206 cm x 111 cm
选件	PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）。
验收标准	标准设备验收标准为 Al₂O₃ 工艺

客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。

材料	非均匀性(1σ)
AI₂O₃ (batch)	0.13 %
SiO₂ (batch)	0.77 %
TiO₂	0.28 %
HfO₂	0.47 %
ZnO	0.94 %
Ta₂O₅	1.0 %
TiN	1.10 %
CeO₂	1.52 %
Pt	3.41 %

北京正通远恒科技有限公司为您提供芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列PICOSUN™ ALD R-200系列，PicosunPICOSUN™ ALD R-200系列产地为芬兰，属于进口原子层沉积设备，除了芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多原子层沉积设备,北京正通远恒客服电话400-860-5168转0338，售前、售后均可联系。

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