方案摘要
方案下载| 应用领域 | |
| 检测样本 | |
| 检测项目 | |
| 参考标准 |
半导体硅材料中磷含量的高低，直接影响器件的电性能。随着硅材料研究及生产的不断提高，对于原材料三氯氢硅中磷的测试灵敏度、速度、准确度提出更高要求。 三氯氢硅中杂质磷的分析，传统的方法为将杂质磷转变成磷钼杂多酸，再还原成磷钼蓝进行比色测定。在此基础上后来有改进，诸如经苯肟酮或硫氰化铵比色测定钼，或利用化学光谱法测出钼量进而间接换算出磷含量；加大取样量等。虽然在灵敏度上有一定提高，但都要经过使磷形成磷钼杂多酸这一过程。为要形成稳定的络合物来分离基本和消除杂质干扰，化学分离手续相当繁杂，分析时间长，而且，测定灵敏度也不能满足生产上的要求。
文献贡献者
北京北分天普：对马来酸氯苯那敏残留溶剂吡啶的测定
北京北分天普：对马来酸氯苯那敏残留溶剂甲苯的测定
北京北分天普：对马来酸氯苯那敏残留溶剂二氧六环的测定
相关产品
关注
拨打电话
留言咨询
