方案摘要
方案下载| 应用领域 | 半导体 |
| 检测样本 | 其他 |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | NA |
半导体光刻系统中的晶圆轻量化移动结构的变形阻碍了高通量的半导体制造过程。为了补偿这些变形，需要的测量。来自理工大学荷兰Eindhoven University of Technology 的科学家设计了一个基于德国attocube干涉仪IDS3010的测量结构，以此来详细地研究因为光压而导致的形变特性。
半导体光刻系统中的晶圆级轻量化移动结构的变形阻碍了高通量的半导体制造过程。为了补偿这些变形，需要精确的测量。来自世界顶尖理工大学荷兰Eindhoven University of Technology 的科学家设计了一个基于德国attocube干涉仪IDS3010的测量结构，以此来详细地研究因为光压而导致的形变特性。图一所示为测量装置示意图，测量装置由5 x 5 共计25个M12/F40激光探头组成的网格，以此来实现监测纳米级的无轴承平面电机内部的移动器变形。实验的目的是通过对无轴承的平面的力分布进行适当的补偿，从而有效控制转台的变形。实验测得最大形变量为544nm，最小形变量为110nm（如图二所示）。
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图一 左侧5X5排列探头测量装置示意图，右图为实物图
图二 无轴承磁悬浮机台形变量的测量结果，最大形变量为544nm
参考文献：
Measuring the Deformation of a Magnetically Levitated Plate displacement sensor.
文献贡献者
利用AFM+SEM二合一显微镜-FusionScope揭秘半导体陶瓷材料微观机理
利用AFM+SEM二合一显微镜-FusionScope表征纳米线阵列
利用FusionScope进行纳米力学测试，测试动态全程可见
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