型号: | GSL-ZDDZS-500 |
产地: | 辽宁 |
品牌: | 沈阳科晶 |
评分: |
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产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特点。
产品型号 | GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀 | ||
安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水); 2、电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6%,必须有良好接地(对地电阻小于2Ω); 3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀 4、场地面积:设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上 5、通风装置:需要(外排废气管道); | ||
主要特点 | 1、由于电子束定位准确能量很高,可蒸发难熔金属或化合物,蒸发速率快; 2、体积小,操作简便可以非常容易的放置材料和清理; 3、蒸发材料放置在水冷铜坩埚中,可避免坩埚材料的污染,制备高纯薄膜; 4、由于蒸发物面积小,因而热辐射损失小,热效率高; | ||
技术参数 | 1、极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后); 2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S; 3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,45分钟可达到6.6x10-4 Pa; | ||
基片参数 | 1、基片尺寸:可放置φ4″基片(带手动挡板); 2、基片加热最高温度 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制; 3、基片可连续回转,转速5~60转/分; 4、基片与蒸发源之间距离300~350mm可调; | ||
电子束蒸发源参数 | 1、E型电子枪,阳极电压6KV、8KV; | ||
真空腔体 | 1、U型真空室尺寸Ф500X600mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封; 2、真空腔体前开门铰链结构,方便取、放样品; 3、前开门设有两个观察窗接口,可以观察电子枪和基片; 4、设备预留膜厚仪接口,可选配膜厚仪; 5、高真空分子泵机组,闸板阀隔断(也可使用高真空挡板阀); | ||
产品规格 | 整机尺寸:1800mm×1200mm×2000mm; | ||
标准配件 | 1 | 电源控制系统 | 1套 |
2 | 真空获得机组 | 1套 | |
3 | 真空测量 | 1套 | |
4 | 电子枪 | 1套 |
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