资料摘要
资料下载在上期的沈阳科晶设备制造有限公司的followme园地中，介绍了《设备选择》。使用沈阳科晶公司的精密设备，用不到6万元就可以建立你自己的加工实验室。有了自己的实验室，就要有相应的技术。来保证你的实验室的良好运行。为此目的，我们向科晶公司用户，介绍一下晶体基片加工的完全过程，来感谢产品用户的大力支持。《切磨抛工艺》来到了followme园地，进入您的视野。 切磨抛工艺 将各种晶体加工制成半导体器件生产线上所需要的抛光片（衬底片）需要经过切片，磨片和抛光等工序。这一平面加工工艺的简称就是所谓的切磨抛工艺。 切片： 加工大直径的晶体时，通常用内园切割机来进行加工。用这种设备切出的晶体基片是平的。因为刀片由外围张力环支持，震动小。相邻的晶片损伤小。小直径的晶体材料，可用科晶公司生产的SYJ-150型或EC400型切割设备进行加工，实用快捷。 而对于脆性的，切割时易损的晶体材料，使用科晶公司生产的 SYJ-2型精密线切割机是非常合适的 。该设备使用镶嵌金刚石的线锯丝或普通的线锯丝，同时使用研磨浆来实现各种材料的无损伤切割。该机的工作台水平可旋转90˚卡具，并具有切割线张力调整装置，来实现精密的切割。 SZX-1全自控高精度晶体线切割机，是沈阳科晶设备制造有限公司推出的国内独家研发制造的全自控高精度线切割机，是由计算机控制的理想切割机，可以切割最大棒料直经4英寸的各种晶体、陶瓷、及金属材料，切割厚度可小于0.2毫米。 晶体材料在切片前，需要进行定向。例如单晶硅材料，一方面为了确定管芯划片时最佳方向（对【111】单晶参考定位面为〈100〉面）。另一方向，为使抛光片〈衬底〉在外延时，有利于减少外延层表面角锥缺陷，降低层错密度及减少隐埋图形的畸变和位移。一般要求切割片（衬底片）【111】朝向最近的【110】偏离4～5度。 切割晶体时，按照切割设备的操作规程，逐条进行。一般都会加工出合格的晶体基片。要注意的是，由于切片设备的刀片的平整度及设备本身的精度造成的震动，会对切割的晶体基片表面造成机械损伤层，这一损伤层，一般来讲最少在30～70μm之间。所以在加工晶体基片时，切片的厚度，要把机械损伤层考虑到，例如：如果要求在半导体器件生产线上需要厚度为300μm的晶体基片，那么切割晶体基片时要求晶体基 片的厚度最好应在450～500μm左右。 ●切片时的机械损伤（刀片震动造成） 30μm～70μm (一面) ●磨片时机械损伤（磨料造成） 5μm～15μm (一面) ●抛光时去除机械损伤 1μm以下 以上只是为用户提供一个考虑的思路。切割晶体基片的厚度尺寸原则是，保证最终抛光片尺寸厚度要求时，晶体切割时，片厚越薄越好，不但节省了晶体，降低了成本，也提高了磨片和抛光工序的效率。
文献贡献者
悼念恩师——胡壮麒老师
简介： 痛悉胡老师仙逝，悲痛万分。今年5月11日回国探望时，先生虽在病床，但仍头脑清晰，不断的了解学生的工作请况，不料那次见面竟为与先生的诀别。 我是胡老师的第一个博士生 ，胡老师也是对我一生影响最大的恩师之一。记得1984年考博时，我的英文和数学成绩很差，但专业课优秀，实践经验多，胡老师在众多名校考生中选择了我。另我十分意外。在于以后的研究中，证明胡老师的决定是对的。尽管我基础课学的连滚带爬，但做起实验来得心应手。 我原定的课题是激光表面合金化。为了解国际最新进展，胡老师带领几个研究生整整花一年时间，一字一句的修改，翻译了一本国外最新著作“激光表面改性与合金化”，并在科技出版社出版。这是我国第一本在激光材料处理方面的专著，也为我国激光材料处理开辟了先河。 后来，我被卷入了高温超导的热潮中，那不是原定研究计划，也根本没有科研经费，但胡老师不仅没有反对我，还不断地用其他的科研经费支持我。后来，我们将高温超导和凝固理论以及激光方法相结合，发展出了“激光浮区熔化法制备定向凝固高温超导纤维”的新工艺。这个研究结果当时在世界是领先的，因此，为所里赢得了20万的国家研究经费。得到了国家经费后，胡老师并没有把钱留在自己的课题组，而是帮所里的年轻一代建立了新的研究室。凭借这个研究结果，在胡老师的大力推荐下，1988年末我获得了麻省理工的博士后聘任。 胡老师一生高风亮节就是体现在这些小事上，不谋私利，时刻为学生和年轻一代着想，为国家培养了一代又一代的精英。在和胡老师相处的日子里，胡老师没吃过学生的一顿饭， 没收过学生的一份礼，却为每个学生的进步高兴不已。 胡老师这种品格深深的教育着我，在以后经商20多年的日子里，不论多困难，我始终记着胡老师的教诲，不为钱屈膝，做个正直的好人，时刻记着帮助需要的人，不管别人是否帮助过你。大道利他，才能成就自己。 于是，我们理解为何胡老师不愿举行追悼会和告别仪式，因为，他不愿为他人添麻烦。 其实真正的追悼是在人们心中，是胡老师一生为学生们做出的那些点点滴滴的事情。 胡老师一路走好。愿我们在天堂再做师生。
MTI-科晶集团参加美国第118届国际锂电会议
简介：MTI-科晶集团于2016年6月20日-23日参加在美国芝加哥举办的第118届国际锂电会议。此会议是国际高端锂电人员的一个交流会，来自世界各地的锂电领军人物在会上做了报告。同时，MTI在会议期间展示了双轴小型混料机、陶瓷轧辊机、6工位加热提拉镀膜机、小型高压氧炉、等离子清洗机、卷对卷涂覆机和固态电池可分离装置等最新产品，并受到与会者的广泛关注。
沈阳科晶即将参加中国化学会第30届学术年会
简介：沈阳科晶自动化设备有限公司将于2016年7月1日-4日在大连理工大学参加中国化学会第30届学术年会。中国化学会学术年会每两年召开一次，是我国化学领域级别最高、规模最大的学术盛会，是化学工作者启迪思想、交流思想的平台，对进一步推动我国化学科学的发展及化学学科在国内外的学术影响起到积极的作用。此次会议设有46个分会和12个论坛，沈阳科晶作为中国材料科学发展的不懈支持者，不仅派出代表积极参与其中，并将展出一批相关领域的优质设备。在此，诚挚欢迎广大业内外人士前来参观、咨询。 时间：2016年7月1日-4日 地点：辽宁省大连市甘井子区凌工路2号大连理工大学 主办单位：中国化学会 承办单位：大连理工大学 展位：综合教学楼1号楼一层5#展蓬73、74、75号展位 展位现场负责人：曲先生 18624331856 郑先生18624331865
2016年端午节休假通知
简介：尊敬的用户： 根据国务院节假日安排规定，综合实际情况，我司2016年端午节休假时间安排如下： 2016年6月9日（星期四）至2016年6月11日（星期六）共休假3天； 2016年6月12日（星期日）正常上班。 在此期间给您带来的不便尽请谅解。 沈阳科晶自动化设备有限公司 2016年6月8日
MTI-科晶集团赞助ESC电池研究部首次设立博士后奖
简介： 由MTI-科晶集团及集团董事长江晓平基金会共同赞助，ESC电池研究部首次设立了博士后奖。此奖项面向全球进行新能源研究的博士后开放，并拟定于2016年10月的全球电化学会上进行首次颁布。欢迎了解详情，请点击http://www.electrochem.org/battery-division-postdoctoral-associate-research-award。
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