(等离子)原子层沉积系统(PE)ALD
(等离子)原子层沉积系统(PE)ALD
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(等离子)原子层沉积系统(PE)ALD

参考价:¥50万 - 100万
型号: D100
产地: 韩国
品牌: NCD
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产品详情

主要应用

-适用于半导体用薄膜(Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO ……

-CIGS太阳能电池无镉缓冲层沉积

-晶硅太阳能电池表面钝化层沉积

-硅基WVTR(水蒸气透过率)的阻挡层

-Micro-OLED封装层

-柔性衬底用阻挡层

-OLED封装层

-柔性OLED显示器、柔性OLED照明、量子点、钙钛矿LED、柔性太阳能电池等高水分阻隔膜的卷对卷(R2R)ALD工艺

-可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉积


特点

1.ALD高k介质,厚度均匀性好,保形步进覆盖。

2.先进的工艺套件和小体积的短周期室

3.实现了ALD机构(行波法)

4.小脚印全集成工艺模块

5.过程控制方便,供气线路长度小。



南京伯奢咏怀电子科技有限公司为您提供NCD(等离子)原子层沉积系统(PE)ALDD100,NCDD100产地为韩国,属于进口原子层沉积设备,除了(等离子)原子层沉积系统(PE)ALD的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供IGZO沉积用热原子沉积设备(LTPO)、太阳能电池钝化用ALD设备、量产型 薄膜封装专用ALD系统,McScience中国代表处客服电话400-860-5168转1730,售前、售后均可联系。

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