锗红外探测器

锗红外探测器

参考价:面议
型号: Ge
产地: 美国
品牌: OSI Optoelectronics
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产品详情

仪器简介:

锗红外探测器,覆盖光谱范围800nm-1800nm,不同探测面积及制冷温度可选,包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷



技术参数:


Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq.
(dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR   NEP@ lpeak CD @ Max. VR
            and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W
  (KW) (µA) VR      
  (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) 

LOW CAPACITANCE OPTION ("HS")
J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400
J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250
J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50
J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12
J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8
J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5
J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6
HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC")
J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40
J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10
J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2
J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5
J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2
J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1
J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03
J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02
STANDARD
J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15
J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4
J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2
J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8
J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1
J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07



主要特点:

在选择探测器时,主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素:
1.制冷功能会降低暗噪声,但同时会造成阻抗的增加
2.较大探测面积会减小阻抗,但会增加暗噪声 
对于低噪声要求比较苛刻的应用,可以选择小面积的探测器,同时为了增加感光的灵敏度,最好能够增加光学聚焦系统,用于光信号的收集。
除了以下常规温度的锗红外探测器,还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

先锋科技(香港)股份有限公司为您提供OSI Optoelectronics锗红外探测器Ge,OSI OptoelectronicsGe产地为美国,属于光谱配套设备,除了锗红外探测器的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供薄膜热释电红外探测器、光声光谱痕量气体分析仪、碲镉汞(HgCdTe)探测器,先锋科技客服电话400-860-5168转1980,售前、售后均可联系。

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