型号: | μAMOS |
产地: | 日本 |
品牌: | 滨松 |
评分: |
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红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析系统“μAMOS”是一款半导体失效分析仪,使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下,使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且,通过使用大电流探针头,也可以对大电流高电压工作的器件进行分析。
特性
图像空间分辨率高
背面观测(λ=1.3 μm)
可观测高掺杂基底(Epi-sub)
使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号,因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜(选配)
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测(空,硅节)
触控(过孔)异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current,静态供电电流):IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
参数
产品名称 | uAMOS-1000 |
---|---|
尺寸/重量 | 主单元:1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg 控制台:880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg 选配桌:1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg |
线电压 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
功耗 | 约 3000W |
真空度 | 约80 kPa或更大 |
压缩空气 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
可用器件
晶片* | 前面 | 切块后的芯片到300mm晶片 |
背面 | 200/300 mm晶片(其他尺寸晶片可通过增加选配来处理) |
*:与选用探针的规格有关
封装后IC | 前面 | 芯片打开到表面的IC |
背面 | 镜面抛光到硅基底的IC |
红外共焦激光显微镜
扫描速度(秒/图) | ||||
512×512 | 1 | 2 | 4 | 8 |
1024×1024 | 2 | 4 | 8 | 16 |
激光*
1.3 μm激光二极管 | 输出: 100 mW |
1.3 μm高功率激光器(选配) | 输出: 超过400 mW |
1.1 μm脉冲激光器(选配) | 输出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse) |
*: For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.
光平台移动范围*
X | ±20 mm |
Y | ±20 mm |
Z | 75 mm |
*:由于探针或者样品平台的阻碍,该值肯会更小
透镜放大
一个转台可选透镜数达5个。
透镜 | 数值孔径 | WD (mm) | 视场 | μAMOS-1000 |
1×: A7649-01 | 0.03 | 20 | 13×13 | 标配 |
2×: A8009 | 0.055 | 34 | 6.5×6.5 | 选配 |
M-PLAN-NIR-5×: A11315-01 | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 标配 |
M-PLAN-NIR-20×: A11315-03 | 0.40 | 20 | 0.65×0.65 | 标配 |
M-PLAN-NIR-50×: A11315-04 | 0.42 | 17 | 0.26×0.26 | 选配 |
NIR 50×: A8756-012 | 0.42 | 18.3 | 0.26×0.26 | 选配 |
High NA50×: A801812 | 0.76 | 12 | 0.26×0.26 | 选配 |
M-PLAN-NIR-100×: A11315-05 | 0.50 | 12 | 0.13×0.13 | 标配 |
NIR 100×: A8756-022 | 0.50 | 13.3 | 0.13×0.13 | 选配 |
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-061 | 0.70 | 10 | 0.13×0.13 | 选配 |
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-0812 | 0.70 | 6 | 0.13×0.13 | 选配 |
1:用1来标记的镜头有两种可选
2:用2来标记的镜头带玻璃厚度补偿功能
获取OBIRCH图像
电压固定型 | 电流固定型 | 微电流放大器 | |
施加电压 | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±25 V |
最大电流 | 100 mA | 100 mA | 100 μA |
探测率 | 1 nA1 | 1 μV2 | 3 pA1 |
1:为输入放大器的最大可探测脉冲信号
2:计算值
外形图(单位:mm)
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