| 型号： | MProbe |
| 产地： | 美国 |
| 品牌： | Semiconsoft |
| 评分： |
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Semiconsoft MProbe薄膜测厚仪
M p r o b e 让 你 成 为 测 量 专 家 !
大部分半透明的或具有轻微吸收性的薄膜能够被快速、可靠的测量：
氧化物、氮化物、感光耐蚀膜、聚合物、半导体(Si, aSi,polySi)、半导体化合物(AlGaAs,InGaAs,CdTe,CIGS)、硬涂层(SiC, DLC), 聚合物涂料 (Paralene, 聚甲基丙烯酸甲酯, 聚酰胺), 薄金属薄膜等。
厚度范围: 1 nm-1 mm
波长范围: 200nm -5000nm
在薄膜太阳能电池中的应用:
aSi, TCO, CIGS, CdS, CdTe-全太阳能堆栈测量
LCD, FPD应用:
ITO, 细胞间隙，聚酰胺。
光学涂层:
介质滤波器，硬涂层，防反射涂层半导体和电解质: 氧化物，氮化物, OLED堆。
实时测量和分析。各种多层次的, 高强度的,厚的, 独立和不均匀的层 。
丰富的材料库 (500多种材料) – 新材料容易增添。
支持参数化材料:
Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA 等?
使用灵活:
可联网在操作台桌面或现场进行研究与开发。用TCP或Modbus接口能容易的和外部系统连接。
测量参数：
厚度、光学常数、表面粗糙度。
界面友好强大:
测量和分析设置简单。背景和缩放修正,连接层和材料。
离线数据分析：
仿真和灵敏度分析，多样品测量，生产批量处理。
MProbe系统示意图
| 精度 | 0.01nm or 0.01% |
| 精确度 | 0.2% or 1 nm |
| 稳定性 | 0.02nm or 0.03% |
| 光斑尺寸 | 标准为 3mm ， 可以小到 3μm |
| 样本大小 | 从 1mm 起 |
主要参数
| 模型 | 波长 | 范围光谱仪探测器/检测器/光源 | 厚度范围 * |
| VIS | 400-1100 nm | 分光仪 F4/Si 3600像素点/ 钨-卤素光源 | 15 nm to 20 mm (option:up to 50 mm) |
| UVVisSR | 200-1100 nm | 分光仪 F4/ Si CCD 3600 像素点/氘-钨卤组合式光源 | 3 nm to 20 mm (option:up to 50 mm) |
| HRVIS | 700-1000 nm | HR分光仪F4/Si 3600 像素点/ 钨-卤素光源 | 1 mm to 400 mm |
| NIR | 900-1700nm | 传输光谱仪(TVG) F2/512 InGaAs/钨-卤素光源 | 100 nm-200 mm |
| VISNIR | 400-1700 nm | 分光仪 F4 Si CCD 3600 像素点 (Vischannel)；传输光谱仪(TVG) F2/512 InGaAs PDA( NIR channel) 钨-卤素光源 | 15 nm to 200 mm |
| UVVISNIR | 200 -1700 nm | 分光仪F4 Si CCD 3600 像素点(Vis频道);传输 氘-钨卤组合式光源 | 3 nm -200 mm |
| NIRScan | 900nm -5000nm | 扫描分光计/InGaAs/ MCT 探测器 (扫描时间 <60 秒 ) TH-SiN光源 | 100 nm -800 mm |
| XT | XT 1590nm -1650nm | 传输光谱仪 (TVG) F2/512 InGaAs/钨 -卤素光源 | 10 mm- 1 mm |
* T, n & k 测量的厚度范围为25nm – 5um
其他配置也是可以做到，欢迎原始设备制造商咨询和定制开发项目。
对所有系统中的配件有一年的质量保证。
| 用户单位 | 采购时间 |
| 杭州远见 | 2014/11/06 |
| 上海泰坦 | 2014/07/18 |
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