型号: | K2500 |
产地: | 美国 |
品牌: | MMR |
评分: |
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1. | 设备名称: | 霍尔效应测试仪 |
2. | 功能描述: | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
3. | 设备明细: | |
3-1 | 测试范围: | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
3-2 | 磁场: | |
3-2-1 | 磁场强度: | 0.5T 电磁体 (0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选) |
3-2-2 | 磁场类型: | 电磁体 |
3-2-3 | 磁场均匀性: | 磁场不均匀性<±1 % |
3-3 | 测试样品: | |
3-3-1 | 样品测试仓: | 全封闭、带玻璃窗口 |
3-4 | 温 度: | |
3-4-1 | 温度区域: | 80K ~730K |
3-4-2 | 温控精度: | 0.1K |
3-4-3 | 温控稳定性: | ±0.1 K |
3-5 | 电阻率范围: | 10-6~1013 Ohm*cm |
3-6 | 电阻范围: | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
3-7 | 载流子浓度: | 102~1022cm-3 |
3-8 | 迁移率: | 10-2~109 cm2/volt*sec |
3-9 | 输入电流: | |
3-9-1 | 电流范围: | 0.1 pA~10mA |
3-9-2 | 电流精度: | 2% |
3-10 | 输入电压: | |
3-10-1 | 电压范围: | ±2.5V,最小可测到6×10-6V |
3-10-2 | 电压分辨率: | 3×10-7V |
3-10-3 | 电压精度: | 2% |
用户单位 | 采购时间 |
中科院光机所 | 2011/07/22 |
北京航空航天大学 | 2012/11/28 |
上海交通大学 | 2012/06/11 |
华南理工大学 | 2010/10/20 |
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