释光测年仪Risø DA20 C/D

　　释光测年仪(英语：Luminescence dating instrument)效应，有时也被译作热致光、热发光，是一种冷发光现象：一些晶体(例如矿物质)在被加热时，原来吸收并储存在晶格缺陷中的电磁辐射或其他电离辐射会以光子的形式释放出来。该现象不可与黑体辐射(也可称为热发光)混淆。

　　高能辐射会使晶体材料内产生电子激发态。 在一些材料，这些电子透过晶格的局部缺陷或不完整，被捕获而长期保存下来。量子力学上，这些量子态是与时间无关的定态，但他们并不稳定。 加热材料将使捕陷态位(trap states)能够与声子相互作用，即晶格振动，在迅速衰减至较低能态的过程中发射光子。

　　释光测年仪丹麦Ris DA20 C/D释光测年仪考古和地质年代测定系统是Ris国家实验室设计生产的，是一代的荧光读出系统，即能测量热释光又能测量光释光。释光测年仪Ris DA20 C/D热释光/光释光考古和地质年代测定系统包括：光探测系统、热释光系统、光释光系统，辐照系统等子系统组成。

　　主要应用：辐射剂量测量、古陶瓷年代检测等。

　　北京冠远科技有限公司作为丹麦Riso热释光光释光仪器的总代理，竭诚为新老客户服务。

　　释光测年仪/丹麦Ris? DA20 C/D热释光/光释光考古和地质年代测定系统是Ris?国家实验室设计生产的，是一代的荧光读出系统，即能测量热释光又能测量光释光。Ris? DA20 C/D热释光/光释光考古和地质年代测定系统包括：光探测系统、热释光系统、光释光系统，辐照系统等子系统组成。北京冠远科技有限公司为中国总代理。

　　(1)释光测年仪特点

　　全自动可编程电脑控制;

　　同时测量48个样品;

　　加热温度可在室温-700℃之间调节;

　　可进行样品的红外释光(IRSL)、蓝光释光(BLSL)和热释光(TL)测量;

　　光激发有线性调制OSL模式和脉冲OSL模式;

　　单个样品可被α和β放射源(90Sr/90Y和 241Am)或小型的X-射线发生器照射。

　　(2)释光测年仪光探测系统

　　光探测系统测量发出的荧光，光探测系统包括一个光电倍增管和相配的滤光片。样品室 可编程，进行热释光测量时可抽真空，计算机控制氮气输入，使加热后的样品能快速冷却。

　　标准的Ris?读出器有配套的滤光片：

　　75mm Hoya U-340

　　2mm Schott BG 39

　　4mm Corning 7-59

　　(3)释光测年仪热释光系统

　　利用位于PMT下的加热元件就可进行热激发。加热元件有两个功能：1)加热样品 2)把样品提升到测量位置。

　　样品加热到700°C，升温速率可在0.1-10 K/s.之间选择。氮气流冷却电热丝，防止加热系统在高温情况下被氧化。

　　(4)释光测年仪光释光系统

　　使用发光二极管阵列进行光激发，包括CW和LM-OSL激发。发光二极管阵列配有光反馈服务系统来确保激发功率的稳定。二极管和样品之间的距离大约为20mm。标准Ris? TL/OSL读出器装有两个光激发源：

　　红外光源(波长870nm)激发能量可达140mW/cm2或者更高,并能在值的0-100之间任意调整;

　　蓝光光源(波长470nm)激发能量不小于50mW/cm2。

　　(5)释光测年仪辐照系统

　　系统有三种辐照方式：β，α和X射线辐照。用软件来控制辐射类型，并允许单个辐射。

　　β辐射

　　Beta辐照器可拆分开，通常配有1.48 GBq (40 mCi) 90Sr/90Y β源，能发射能量为2.27Mev的β粒子。在样品位置的石英剂量率大约为0.1 Gy/s。源和样品之间的距离为5mm，在辐照器和测量室之间有一个0.125mm的铍窗，并充当一个真空接口。

　　α辐射

　　α辐照器通常都配有一个10.7 MBq (290 mCi) 241Am源，是一个混合α/γ辐射体。α能量为5.49 MeV (85.1%)，主要的γ能量为59keV。源通过气驱动快门控制。在样品位置的石英剂量率大约为45 mGy/s. γ辐照器和系统盖和密封轴结合在仪器阻止在X射线输出稳定之前样品辐射。

　　X射线辐射

　　X射线灯丝型辐照器的的X射线：Varian VF-50J X-γ射线管 (50 kV, 1 mA, 50 W).动态剂量率范围(50mm Al过滤)：当安装在标准的OSL/TL读出器上时，10 mGy/s - 2 Gy/s。

　　(6)释光测年仪应用领域

　　考古和地质年代测定;

　　已发事故剂量测量;

　　辐射食品检测;

　　荧光研究。

　　(7)释光测年仪技术参数

　　TL：可从室温加热到700℃，升温率可在0.1 K/s -10 K/s之间编程调节。恒温TL可在任何固定温度下操作。

　　OSL：

　　蓝色LED(波长470nm)激发：50 mW/cm2;

　　红外LED(波长870nm)激发：145 mW/cm2;

　　可在任何温度下调控。

　　辐射源选择：

　　β(90Sr/90Y)陶瓷源 (1.48 GBq)剂量率(石英)： 0.1 Gy/s;

　　α(241Am)源(10.7 MBq)剂量率(石英)：45 mGy/s;

　　X射线发生器(50 kV, 1 mA)动态剂量率(石英)：10 mGy/s-2 Gy/s。

　　单颗粒OSL：

　　聚焦绿色激光激发(532nm)：50 W/cm2;

　　可选择：IR激光激发 (830 nm)：~ 500 W/cm2;

　　电源： 100-240 V 50/60 Hz (120 W)。