这款GaN MMIC 放大器采用全球领先的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,提供更高击穿电压和更高的功率密度,是全球领先的宽带功率放大器。
GaN MMIC 放大器采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件, 却具有与GaAs大栅宽器件同样的输出功率。
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