型号: | Hinds photoelastic modulators |
产地: | 美国 |
品牌: | |
评分: |
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PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。
需要进一步了解关于光弹调制器原理,请点击这里
应用举例:
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列:
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
TABLE 1 |
|
|
SPECTRAL REGION |
SERIES |
MATERIAL |
Vacuum UV, UV |
I |
Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR |
I,II |
Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR |
I,II |
Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR |
II |
|
Near- to mid-IR |
II |
Silicon |
基本指标
Model |
Optical Material |
Nominal Frequency |
Retardation Range |
Useful Aperture1 |
|
Quarter Wave |
Half Wave |
||||
I/FS50 |
Fused Silica |
50 kHz |
170nm - 2μm |
170nm - 1μm |
16mm |
I/FS20 |
Fused Silica |
20 KHz |
170nm - 2μm |
170nm - 1μm |
22mm |
I/CF50 |
Calcium Fluoride |
50 kHz |
130nm - 2μm |
130nm - 1μm |
16mm |
II/FS20A |
Fused Silica |
20 kHz |
170nm - 2μm |
170nm - 1μm |
56mm |
II/FS20B |
Fused Silica |
20 kHz |
1.6μm - 2.6μm |
800nm - 2.5μm |
56mm |
II/FS42A |
Fused Silica |
42 kHz |
170nm - 2μm |
170nm - 1μm |
27mm |
II/FS42B |
Fused Silica |
42 kHz |
1.6μm - 2.6μm |
800nm - 2.5μm |
27mm |
II/FS47A |
Fused Silica |
47 kHz |
170nm - 2μm |
170nm - 1μm |
24mm
|
II/FS47B |
Fused Silica |
47 kHz |
1.6μm - 2.6μm |
800nm - 2.5μm |
24mm |
II/FS84 |
Fused Silica |
84 kHz |
800nm - 2.5μm |
400nm - 2.5μm |
13mm |
II/IS42B |
Fused Silica |
42 kHz |
1.6μm - 3.5μm |
800nm - 2.5μm |
27mm |
II/IS84 |
Fused Silica |
84 kHz |
800nm - 3.5μm |
400nm - 1.8μm |
27mm |
II/CF57 |
Calcium Fluoride |
57 kHz |
2μm - 8.5μm |
1μm - 5.5μm |
23mm |
II/ZS37 |
Zinc Selenide |
37 kHz |
2μm - 18μm |
1μm - 9μm |
19mm |
II/ZS50 |
Zinc Selenide |
50 kHz |
2μm - 18μm |
1μm - 10μm |
14mm |
II/SI40 |
Silicon |
40 kHz |
FIR - THz |
FIR - THz |
36mm |
II/SI50 |
Silicon |
50 KHz |
FIR - THz |
FIR - THz |
29mm |
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