型号: | FR-Portable |
产地: | 美国 |
品牌: | |
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Protable便携式,Scanner面扫式光学薄膜测量表征系统是应用分光光谱反射原理精确测量光学或非光学薄膜膜厚以及光学常数测量,测量准确度达到纳米量级。
具有实时多功能测量、测量快速、非接触非破坏、优秀的准确性和重复性、易于上手操作等特点,是目前市场上性价比最优应用最普及的的薄膜表征测量设备。
在被测量的薄膜上垂直照射可视光(光源波长可选), 光的一部分在膜的表面反射, 另一部分透进薄膜, 然后在膜与底层之间的界面反射, 薄膜表面反射的光和薄膜底部反射的光产生干涉现象。利用白光干涉测量法的原理, 它用一个宽波段的光源来测得不同波长的反射数据, 由于反射率n和k随薄膜的不同而变化, 根据这一特性进行曲线拟合从而求得膜厚。不同类型材料的相应参数通过不同的模型来描述,从而保证了不同类型材料膜厚测量的准确性。
光学膜厚测量仪提供了多种解决方案, 用于单层或多层, Supported & Free-standing薄膜, 透明或半透明, 均匀或非均匀薄膜, 可选加热冷却或液态环境原位测量的多功能无损表征工具。薄膜测量范围为1nm到500um, 最多可达10层薄膜测量, 通常拟合曲线和实际曲线由于干涉会有一些差异,仪器的算法充分考虑到了这一点,也可在比较粗糙的表面进行测量。
Film thickness 膜厚
Refractive index (both real and imaginary parts) 折射率(实部或虚部)
Uniformity 均匀度
Roughness 粗燥度
Color 颜色
Reflectance 反射率
Transmittance 透射率
Absorbance 吸收率
Portable是一套用于单层或多层薄膜精确表征的紧凑型便携式设备,用户可快速进行350到1000nm光谱范围薄膜的光反射测量。由于其集成化紧凑型设计,Portable可通过USB连接电脑直接使用,测量快速,操作方便,实用性强。 优势说明:
Portable集成了一套3648像素16bit高分辨微型光谱仪和一套高稳定的混合白炽灯(汞灯)和LEDs的光源, 光源平均寿命可达20000小时,其他如光学能量, 发射光谱, 稳定性等都由嵌入式ucontroller控制. Porable集成化设计和用户自定义的反射探头,保证了极高的测量稳定性和可重复性。
Portable不但可以集成在提供的样品台上,也可很容易拿出来当成手持薄膜测量仪进行实地原位测量。
主要性能如下:
20nm到90um薄膜测量范围, 350nm到1000nm光谱范围
薄膜测量精确度0.1nm或0.1%, 波长分辨率0.6nm
通过USB直接连接,无需电源线缆
真正的便携式,从样品表面直接探测信号
灵活的可拆卸探头,适合现场测量应用
软件:
Mointor(软件名)用来控制Portable系统和光谱测量过程,Mointor提供了一个独特多应用多功能能力,她能获得实时光吸收,光透射,光反射,光放射(辐照)和荧光光谱,以及使用Visual C++算法的非常快速计算和数据处理能力。
在光吸收/光透射配置中,所有典型参数如A, T被测算,此外,其他非常规参数比如在其他测量中非常有用的信号整合也被测算。
此外,Mointor包含了白光反射光谱(White Light Reflectance Spectroscopy WLRS)算法用于独立的或多层的(基于透明或部分/完全反射基底)多达10层薄膜的精确测算薄膜厚度(小于10nm和大于100um厚度)和光学测量包括n&k值。
Scanner是一套紧凑型用于大尺寸基底的全自动薄膜镀层表征工具。使用Scanner系统用户可以在350到1100nm光谱范围内精确进行光反射测量。
Scanner是一套用于快速精确薄膜Mapping(面扫)测量包括膜厚,折射率,均匀性,彩色等。真空吸盘可以容纳从2寸到300mm任意尺度的Wafer。感谢他强大的独特的光学和机械设计,Scanner通过旋转样品台和线性移动顶部光学探头来扫描被测试样品。此外,X-Y模拟扫描模式也可使用,这个方法可以精确得在超短时间内实现高重复度的反射数据测量和数据收集,使得Scanner是一套理想的用于工艺设备在线Wafer或其他基底(比如PV 面板)的表征工具。
典型的用于8寸硅片600个点扫描测量不超过3分钟。
Scanner是通过基于Windows研发的Monitor软件,覆盖整片Wafer的全自动扫描,收集数据用来膜厚和光学常数的测算。软件包含了大于300种材料数据包,此数据包也很容易可被用户扩展。这个整套系统(硬件-软件)出厂时装备好以供用户方便上手测量,设备只需有基本电脑操作基础就可轻松上手,不需要更多更深的光学知识。唯一额外增加是拥有两个USB接口的电脑来运行XP或7操作系统,此外,一个触摸屏操作PC系统可供工业客户可选配置。
Film thickness mapping of a thick annealed silicon dioxide (TEOS) layer deposited on a 4inch Si wafer
Film thickness mapping of a polycrystalline silicon layer deposited on a 8 inch Si wafer
SU-8 film thickness mapping on a 3inch Si wafer
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