AMO THz 微区探针TeraSpike_价格-四川菲克科技有限公司

AMO THz 微区探针

参考价：面议

型号：

TeraSpike

产地：

德国

品牌：

评分：

产品详情

TeraSpike - LT-GaAs光电场检测器

TeraSpike是新一代的微探针，用于太赫兹频率范围内电场的光电导检测。基于客户的反馈和不断增长的应用驱动的需求，我们对近场探针进行了彻底的重新设计并且开发成功。新的探针是一款多用途表面近场电场探测器，适用于太赫兹波长范围内，具有前所未有的性能，可靠并且可适应。它可以完美地集成到太赫兹时域系统，在860 nm以下光激发，这是最高性价比的解决方案，将您的系统变成功能强大的高分辨率近场太赫兹系统。

主要特点

   市场上最小的主动太赫兹探针，基于专利设计，悬臂厚度仅有1μm（DE102009000823.3）
    空间分辨率达3微米
    频率范围0-4太赫兹
    适用于所有基于激光的λ<860 nm的太赫兹系统
    安装与标准光机械部件兼容
    典型的光激发功率：飞秒激光器1-5毫瓦（1-5微焦/平方厘米）

应用

    太赫兹研究：超材料，等离子体，石墨烯，波导，...
    高分辨率太赫兹近场成像
    非接触式薄膜电阻半导体成像
    MMIC器件特性分析
    无损检测芯片
    时域反射计（TDR）

Measured near-field distribution of a gated graphene layer on SiO2-Si revealing conductivity inhomogeneity 测量在 SiO2-Si上的石墨烯膜层的近场分布

Measured near-field image of a pulse-excited THz metamaterial surface

测量脉冲激发的THz超物质表面的近场图像

Measured sheet conductivity image of a laser-doped multicrystalline silicon wafer.

测量激光刻蚀多晶硅晶圆的薄层导电率图像

TeraSpike TD-800-	X-HR	X-HRS	X-HS	Z-A-500G
Max. spatial resolution	3 μm	20 μm	100 μm	8 μm
Photoconductive gap size at tip	1.5 μm	2 μm	3 μm	5 μm
Dark current @ 1V Bias	< 0.5 nA	< 0.5 nA	< 0.4 nA	< 0.4 nA
Photocurrent	> 1 μA	> 0.6 μA	> 0.6 μA	> 0.5 μA
Excitation wavelength	700 nm ... 860 nm
Excitation power	1 mW ... 4 mW
Connection type	SMP

四川菲克科技有限公司为您提供AMO THz 微区探针TeraSpike，nullTeraSpike产地为德国，属于其它物性测试仪器，除了AMO THz 微区探针的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多其它物性测试仪器,菲克科技客服电话，售前、售后均可联系。

AMO THz 微区探针

问商家