北京恒奥德仪半导体管特性图示仪 型号HAD-T2B测量半导体MOS管二极管三极管

2024-09-09 09:08  下载量:0

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HAD-T2B半导体管特性图示仪可根据需要测量半导体MOS管,二极管、三极管,可控管等的低频直流参数,最大集电极电流可达50A, 基本满足功率500W以下的半导体管的测试。 * 本仪器还附有高压的测试装置,可对5000V以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试, 其测试电流最高灵敏度达到0.5uA/度。 * 本仪器所提供的基极阶梯信号还具有脉冲阶梯输出,因此可扩大测量范围及对二次击穿特性的测量。 * 本仪器带阶梯偏置电压(△VB), -6V~+6V连续可调。特别适宜大功率VMOS管测试。 1. 集电极电流偏转系数 a) 集电极电流范围(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5进制分21档级,各档误差不大于3%。 b) 二极管电流范围(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5进制分9档,各档误差不大于3%。 c) 集电极电流及二极管电流倍率×0.5,误差不大于10%。 d) 基极电流或基极源电压0.1V/度,误差不大于3%。 2. 集电极电压偏转系数 a) 集电极电压范围(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5进制分

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