| 型号： | IonEtch Sputter Gun |
| 产地： | 德国 |
| 品牌： | |
| 评分： |
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溅射离子枪主要用途:
溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程
离子辅助沉积
离子束溅射镀膜
反应离子刻蚀
技术指标:
| 离子能量 | 25eV - 5keV |
| 总的离子束电流 | 1mA (at 5kV with Argon) High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon) |
| 电流密度 | 120μA/cm2 at 100mm working distance |
| 离子束发散角 | Ion energy dependant (typically 15°) |
| 工作距离 | 100 mm (typically) |
| 等离子体杯 | Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons) |
| 气体进气口径 | CF-16 (1.33“OD) |
| 气体流速 | 1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant) |
| 工作真空度 | 10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max. |
| 激发模式 | 微波放电等离子体 (无灯丝) |
| 安装口径 | CF-35 (2.75“OD) |
| 枪直径 | 34mm (真空端) |
| 泄露阀 | 需要气体质量流量计 |
第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源
原子源主要用途：
制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.
氢原子清洗，氢原子辅助MBE.
制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics.
掺杂， e.g. ZnSe
离子源用途:
离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes
溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering
溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.
原位刻蚀， e.g. Chlorine
技术参数：
真空兼容性：完全UHV兼容
可烘烤：>200°C
微波功率：最大250W，2.45GHz
磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤
安装：NW63CF（4.5“OD）
真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm
光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）
等离子杯：氧化铝
孔径：氧化铝或氮化硼
气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径
工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项
工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）
冷却：全水冷（包括磁控管）
电源：
微波炉
电网供电*
*仅限离子源和混合源
19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz
19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz
主要特点：
无灯丝
适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。
无微波调谐
出厂设置，只需打开和关闭等离子。
用户可配置
提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。
简单烘烤制备
新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。
Al2O3等离子区
氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力
从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm
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