型号: | Tri-Axis |
产地: | 美国 |
品牌: | PVD |
评分: |
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侧向溅射
1. 技术规格
衬底温度:<100℃;在4英寸衬底上沉积厚度300nm时片内厚度不均匀性(不包括5mm边) <±5%。
2. 产品配置:
2.1 主真空室:
主真空室的内壁材料为电子级抛光,与溅射材料无任何反应;前开或者侧开式真空室;有必要的连接法兰包括泵、溅射源、气体入口、挡板、阀门、预真空室, 10cm直径的观察窗,并带有挡板。
2.2预真空室:
将基片从预真空室传送到主真空室的装置;安装基片的门有O型垫圈密封。
2.3泵与阀门:
主真空室配备20cm(8英寸)的冷泵, CTI带自动再生功能的;预真空室用分子泵,与主真空室通过阀门连接;主真空室的本底真空应该好于5×10-8τ;预真空室的本底真空好于1×10-6τ。主真空室和预真空室共用一个干泵。
主真空室应配有电离压力真空计,用于低压显示, 100mτ电容压力计显示压力,热偶或其它量表用于高压显示;预真空室配有电离压力真空计,热偶或其它量表用于高压显示;所有的量表能输出和显示。
2.4溅射源:
具有2个射频溅射源,1个射频清洗电源,2个直流溅射电源,可自动切换至任意靶位;
具有4个溅射靶位以共聚焦的方式安装,3英寸磁控靶、进气口和挡板构成;挡板用电动控制;溅射源之间有屏蔽保护,以防止靶材之间互相污染。
在4英寸晶圆上溅射厚度的均匀性好于±5%(除了5mm的边缘)。
2.5基片控制:
系统适用于直径100mm(4英寸)及以下基片,含碎片和4英寸衬底托盘;系统可以通过简单有效的方法将基片从预真空室传送到主真空室;基片架可以用电机控制旋转,转速在0~40rpm内可精确调节;基片水冷,在连续溅射沉积金属 300nm后,基片的温度不能超过100℃;基片可以在-80°到80°范围内倾斜,控制精度优于0.5°。
2.6工艺气体控制:
系统能够提供3路工艺气体到溅射腔室;每路气体管线有阀门和流量计控制;系统提供电子方式控制气体的混合和系统的工艺压力;在溅射过程中系统的工艺压力可以控制在2mτ到20mτ。
2.7计算机控制系统:
能够控制所有的功能,具有良好的用户操作界面具有程序自动控制工艺的功能。
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