Part 2
HAXPES的优势是什么?
1. HAXPES为界面层的探测提供了更多的可能。
图1. 分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源测试25 nm SiO2/Si的XPS结果。[1]
2. HAXPES减少了表面污染对光电子信号的影响。
图2. 分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源测试不锈钢样品。[2]
3. HAXPES结合离子刻蚀,可以对较厚膜层结构进行无损深度分析。
图3. 对100 nm Pt/TiO2采用离子束减薄后,分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源测试Ti 2p谱图。[1]
4. HAXPES助力原位(Operando)技术发展
图4. 1 nm Fe界面层上覆盖不同厚度碳层,采用不同X射线能量激发的Fe 2p信号强度。[3]
图5. 不同芯能级被激发所需的能量。[4]
图6. 不同芯能级被激发所需的能量。[1]
2. 单一元素的测试也可以实现深度分析。
图7. Cr Kα HAXPES测试TiN样品的Ti 1s和Ti 2p芯能级。[5]
3. 避免俄歇谱峰重叠影响。
图8. 分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源Ni 2p和 Mn 2p。[2]
小结:
HAXPES凭借更高能量的X射线,不仅在界面结构的探测上展示了独特的优势,还在探测信息上延伸至更深的芯能级。HAXPES将为科学研究和原位技术发展提供强有力的支撑。
撰写:鞠焕鑫博士
HAXPES (Cr Kα & Al Kα)
-Beyond the Top Surface Analysis
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*参考资料:
[1]https://www.phi.com/surface-analysis-equipment/quantes.html
[2]https://www.phi.com/surface-analysis-techniques/surface-analysis-spotlight.html#haxpes
[3]Axnanda,S.,Crumlin,E.,Mao,B.et al.,Sci Rep 5,9788(2015)
[4]Curran Kalha et al.,J.Phys.:Condens.Matter.33,233001(2021)
[5]O.Renault,E.Martinez, C.et al.,Surf.Interface Anal.50,1158 (2018)
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