半导体可靠性测试方法高低温试验箱

半导体可靠性测试方法高低温试验箱：

试件：

多个样品在同一试验箱进行高温实验时，应保证所有样品都处在同一环境温度下，并具有相同的安装条件。
对于散热样品而言，各个试件之间不能因辐射散热而影响到其它试件，即试件间隔应足够大，这样对于单个试件来说，其他散热试件辐射到其上的热量所造成的温度变化就很小，到可忽略的程度。
对于非散热试件，温度保持不变的高温或低温试验，试件间的间距可以不做要求，因为温度恒定后试件的温度与温度试验箱内的温度保持一致，不发生热量交换，试件间的间距对试验不会产生影响。
非散热试件的温度变化试验试件间则应该保持间隔，使试验件之间有足够的空气流动，加速试件与温度试验箱之间的热交换，使试件尽快达到试验指定的温度。

试验方法：

1.温度下限工作试验:受试样品先加电运行测试程序进行初试检测。在受试样品不工作的条件下，将箱内温度逐渐降到0℃,待温度稳定后，加电运行测试程序5h，受试样品功能与操作应正常，试验完后，待箱温度回到室温，取出样品，在正常大气压下恢复2h。

推荐检验标准：受试样品功能与操作应正常，外观无明显偏差。

2.低温储存试验将样品放入低温箱，使箱温度降到-20℃，在受试样品不工作的条件下存放16h，取出样品回到室温，再恢复2h，加电运行测试程序进行后检验，受试样品功能与操作应正常，外观无明显偏差。为防止试验中受试样品结霜和凝露，允许将受试样品用聚乙稀薄膜密封后进行试验，必要时还可以在密封套内装吸潮剂。

3.温度上限工作试验受试样品先进行初试检测。在受试样品不工作的条件下，将箱温度逐渐升到40℃，待温度稳定后，加电运行系统诊断程序5h，受试样品功能与操作应正常，试验完后，待箱温度回到室温，取出样品，在正常大气压下恢复2h。

4.高温储存试验将样品放入高温箱，使箱温度升到55℃，在受试样品不工作的条件下存放16h，取出样品回到室温，恢复2h。