硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,简称SDD)是半导体探测器的一种,用来探测X射线,广泛应用在能量色散型X射线荧光光谱仪(XRF)或者X射线能谱仪(EDS)上。 XRF合金分析仪使用了大面积的SDD探测器之后,分析速度快速的提高2倍,使得分析数据的稳定性更强。
SDD探测器的最突出特点有:
1. 高计数率。由于收集阳极的电容极低,相比通常的硅PIN器件,SDD具有更短的上升时间,因而特别适合在高计数率的情况下工作。
2. 高能量分辨率。SDD的阳极面积小于通常硅PIN器件,由于电容的减小,在收集等量电荷的情况下具有更高的电压,提高了其能量分辨率。
3. 可在常温下工作。SDD的电容和漏电流要比一般探测器小两个数量级以上,通常把场效应管(FET)和Peltier效应器件都整合到一起,这样仪器在常温下就能满足SDD的制冷需求,特别适用于便携式设备的现场使用。
根据国家地质实验测试中心的报告,SDD探测器从1962年以Si探测器问世以来,Si-PIN、高纯及四叶花瓣型Ge探测器、Si漂移、SDD等不同性能的探测器, SDD探测器在计算数与制造工艺的稳定性方面取得突破,从而替代复杂的波长色散X射线光谱仪的Si-pIN探测器。
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