筱晓光子SI APD雪崩光电探测器 AD100-8 TO_价格-筱晓（上海）光子技术有限公司

SI APD雪崩光电探测器

参考价：¥1001 - 2999

型号：

AD100-8 TO

产地：

加拿大

品牌：

筱晓光子

评分：

产品详情

SI APD雪崩光电探测器

AD100-8 TO

SI APD雪崩光电探测器.jpg

圆形有源区APD芯片直径为100μm。该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求，两种TO52类型可供选择。

SI APD雪崩光电探测器-2.png

产品特征：

APD具有0.008mm²的有效面积

100μm直径有效面积

低偏置电压时的高增益

快速上升时间，低电容

最佳增益：50-60

产品应用：

激光测距仪

高速光度测定

高速光通信

用器材

绝对最大额定值：

符号	参数	最小值	最大值	单位
T_STG	Storage temp	-55	125	℃
T_OP	Operating temp	-40	100	℃
M_max	Gain （I_PO=1 nA）	-200
I_PEAK	Peak DC current		0.25	mA

SI APD雪崩光电探测器3.png

光电参数@23℃：

符号	特性	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
	有效区域		直径 100			um
	有效区域		0.00785			mm²
I_D	暗电流	M=100		0.05	0.1	nA
C	电容	M=100		0.5		pF
	响应	M=100；λ=800nm	45	50		A/W
t_R	上升时间	M=100；λ=905nm；RL=50?			0.18	ns
	截止频率	-3dB	2			GHz
V_BR	击穿电压	IR=2uA	80		160	v
	温度系数	V_BR随时间变化	0.35	0.45	0.55	V/K
	过大噪声因素	M=100		2.2
	过大噪声指数	M=100		0.2

光谱响应图（M=100）：

SI APD雪崩光电探测器-4.png

量子效应（23℃）电容为反偏压（23°C）

SI APD雪崩光电探测器-5.png

乘积作为偏压（23°C，60℃）暗电流为偏压（23℃，60℃）

SI APD雪崩光电探测器-6.png

应用提示：

?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制

?对于低光照应用，应使用环境光的遮挡

?对于高增益应用，偏置电压应进行温度补偿

?处理时请考虑基本的ESD保护

?使用低噪声读出 - IC

?有关更多问题，请参阅文档“处理和处理说明”

?最佳增益：50-60

封装图：

包装尺寸：

少量：泡沫垫，盒装（12厘米x 16.5厘米）

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SI APD雪崩光电探测器

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