VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm  1mW

VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW

参考价:¥10万 - 30万
型号: ULM852-10-TN-S46FZP
产地: 日本
品牌: 筱晓光子
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Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

    Philips  单模VCSEL激光器 852nm 1mW,Philips  单模VCSEL激光器 852nm 1mW

 

产品特点

● 垂直腔面发射激光器

● 窄线宽 

● 内部TEC和热敏电阻       

● 2 nm TEC的可调性

● 为铷共振激发而设计TO46&TEC

● 特定工作条件:激光电流IOP = 2 mA 目标波长 λt = 794.7 nm @ TOP (由TEC调节)

技术参数

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

备注

入射波长

λR

851

852

853

nm

T = 20°C, ITEC = 0, POP= 0.5 mW

阈值电流

ITH


0.50


mA

T = 20°C

输出功率

Popt

0.50



mW

T = 0 … 50°C

阈值电压

UTH


1.80


V


激光电流

IOP



2.0

mA

Popt = 0.5 mW

激光电压

UOP


2.0


V

Popt = 0.5 mW

电光转换率

ηWP


12


%

Popt = 0.5 mW

斜率效能

ηS


0.3


W/A

T = 20°C

微分串联电阻

RS


250


Ω

Popt = 0.5 mW

3dB调制带宽

ν3dB

0.10



GHz

Popt = 0.5 mW

(由于ESD防护二极管)

相对噪声强度

RIN


-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

波长调谐电流



0.6


nm/mA


波长调谐温度



0.06


nm/K


热电阻

Rthermal

3


5

K/mW


边模式抑制


30



dB


光束发散度

θ

10


25

°

Popt = 0.5 mW满1/e2带宽

光谱带宽

Δν


100


MHz

Popt = 0.5 mW

TEC电流

ITEC



500

mA

需适当散热器

NTC热敏电阻


9.5

10.0

10.5

T= 25°C,

NTC温度依赖性


10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)]


波长调谐TEC电流


0.008

nm/mA

TEC电流 < 200 mA


975.png

绝对最大值

● 储存温度                   -40~125°C 

● 工作温度                   -2080°C

● 电功率损耗                5 mW

● 正向激光电流             2 mA

● 反向电流                   10 mA  

● 焊接温度*                  270C°

● *TEC 温度必须低于     150°C


光谱图

852.png

LIV

853.png

TEC电流调谐下的温度/波长

854.png

通用参数

产品尺寸

tec1.png


tec.png

带TEC管脚配置

pz.png

不带TEC管脚定义

855.png

产品应用

● CPT原子钟

● 光学相干实验

Philips  单模VCSEL激光器 852nm 1mW , Philips  单模VCSEL激光器 852nm 1mW

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