Innolumeinnolume 超辐射发光二极管 SLD-1000-100-YY-25_价格-筱晓（上海）光子技术有限公司

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Superluminescent Diodes (SLD) 超辐射发光二极管是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件,与激光二极管类似，超辐射发光二极管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大，但与激光二极管不同，反馈不足以实现激光作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。

SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白色光源。这种特性主要反映在光源的低时间相干性上（这是发射的光波随时间保持相位的有限能力）。然而，SLD可能表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是一个经常用来表征光源的时间相干的量。它与光学干涉仪两臂之间的路径差有关，在该干涉仪上光波仍然能够产生干涉图案。

一方面，SLD是经过优化以产生大量放大自发发射（ASE）的半导体器件。为了做到这一点，它们结合了高功率增益部分，其中以30dB或更高的高增益因子放大种子自发发射。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不可能发生激光作用。通过使小面相对于波导倾斜来抑制从光学部件（例如连接器）到腔中的光的背反射产生的光学反馈，并且可以通过抗反射涂层来进一步抑制。避免了共振器模式的形成，从而避免了光谱中明显的结构和/或光谱变窄。

通用参数

光纤耦合SLD典型参数

型号	平均波长	频宽FWHM	输出功率	最大波长	频谱下降	波纹，均方根值 Ripples RMS1	偏振消光比PER	工作电流
型号	nm	nm	mW	nm	dB	dB	dB	mA
SLD-1000-100-YY-25	1000	100	25	955, 1030	1	0.02	20	600
SLD-1030-120-YY-15	1030	120	15	970, 1050	4	0.02	20	550
SLD-1030-20-YY-150	1030	20	130	1030		0.04	20	800
SLD-1050-90-YY-35	1050	90	35	1050		0.2	20	700
SLD-1060-20-YY-150	1065	25	130	1060		0.05	20	800
SLD-1060-20-YY-300	1060	20	300	1060		0.3	20	1600
SLD-1064-20-YY-350	1064	20	350	1164			18	750
SLD-1080-30-YY-100	1080	30	100	1080		0.05	20	800
SLD-1130-20-YY-30	1130	27	30	1125		0.03	20	300
SLD-1140-85-YY-1	1140	85	1	1110, 1170	4	0.05	20	400
SLD-1190-90-YY-1	1190	90	1	1160, 1225	5	0.02	20	300
SLD-1250-110-YY-5	1250	110	5	1210, 1280	6	0.05	20	800
SLD-1280-50-YY-1	1280	50	1	1280		0.02	20	400

1– @ ASE 最大值，RMS 在 1 nm 范围内，10pm 分辨率

780-1330 nm范围内的任何定制波长都是可能的。

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型号：	SLD-1000-100-YY-25
产地：	德国
品牌：	Innolume
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