供货周期: | 现货 |
品牌: | 完美光子 |
光电探测器
雪崩二极管
提供Si, InGaAs类型雪崩二极管(APD)及其模块。
SAE系列雪崩二极管
SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管,在400~1000nm范围具有高灵敏度,相当快的响应速度,峰值响应位于650nm,适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。
特点:
高量子效率
低噪声,高速度
高增益,M>100
500um探测靶面
平缓的增益曲线
宽温工作范围
雪崩光电二极管 |
系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8<180典型值:0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13
系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值:1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13
阵列 AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值:1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135-
系列10 – 1064nm 增强 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm,50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值:3.5典型值:1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注:Vop – 工作电压
系列11 – 蓝光增强 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm,50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值:0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14
系列12 – 红光增强/高速 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值:0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1
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IAG系列雪崩二极管
IAG系列雪崩二极管,是非常经济适用的InGaAs APD,在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm,特别适合人眼安全的激光测距,自由空间光通讯,OTDR及高分辨OCT。
特点:
80,200或350um探测面可选
带宽可达2.5GHz
1000nm~1600nm量子效率大于70%
低暗电流&噪声
TO-46或陶瓷封装
UPD系列超快光电探测器(参造Alpha)
光电倍增管
光电倍增管(Photomultiplier Tube, PMT)是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件,是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器,广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。
Specifications | |
Spectral Response | 185 to 900 nm |
Photocathode Material | Multialkali |
Effective Area of PMT | 8 x 24 mm |
Supply Voltage | 1250 V dc |
Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) |
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Anode Sensitivity Luminous |
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Gain | 1 x 105 typ. |
Anode Dark Current | 3 nA |
PIN光电二极管
PIN光电二极管覆盖紫外到中红外,响应波长150nm~2.6μm,光敏面包括InGaAs,GaP,Si,Ge,以及四象限和双波段光电二极管。
产品特性:
· 光谱范围覆盖150nm~2.6μm
· 高响应度,最高达100ps
· 大面积光敏面达到?10mm
· 提供FC/PC接口类型
InGaAs
筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器,采用自主设计生产的PD芯片,并且针对不同应用领域做了优化设计,使器件更加适用客户的应用条件。 产品特点 响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射 低互调失真 稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器 注意事项: | |
四象限光电二极管 | |
型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V(nA)(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V(nA)(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100
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位置敏感探测器
采用DUO侧向技术,连续的模拟信号输出,正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。
特点: 应用:
超线性输出 光束对准
超高精度 位置感应
宽动态范围 角度测量
高重复性 表面轮廓
DUO侧向结构 高度测量
瞄准、导向系统
运动分析
位敏光电二极管 |
型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V(nA)(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5
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频敏光电二极管 |
型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V(nA)Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值:1.0典型值:0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15
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单子计数器
该系列单光子计数模块应用广泛,包括:共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点:量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。
Type | Spectral range | Dark count rate | Efficiency | Active dia. | Timing resolution | Dead time |
COUNT Series | ||||||
COUNT-500C | 400-1100nm | <500Counts/s | 15% for 405nm | 100μm | 800ps | 55ns |
COUNT-250C | <250Counts/s | |||||
COUNT-100C | <100Counts/s | |||||
COUNT-50C | <50Counts/s | |||||
COUNT-20C | <20Counts/s | |||||
COUNT-10C | <10Counts/s | |||||
COUNT-blue Series | ||||||
COUNT-500B | 350-1000nm | <500Counts/s | 55% for 405nm | 100μm | 800ps | 55ns |
COUNT-250B | <250Counts/s | |||||
COUNT-100B | <100Counts/s | |||||
COUNT-50B | <50Counts/s | |||||
COUNT-20B | <20Counts/s | |||||
COUNT-10B | <10Counts/s | |||||
Options | ||||||
Fiber | FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. | |||||
COUNT-PSU | Power supply for single photo counting. | |||||
DSN 102 | Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM. |
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