InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T

InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T

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筱晓（上海）光子技术有限公司
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InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T

    

1、说明

基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm，φ75μm, φ300μm，φ500μm，φ800μm，φ1000μm，φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。

2、特点

平面正照结构，低暗电流，高均匀性，高可靠性。

3、应用

激光导引头，激光经纬仪，光电跟踪、定位，光电准直仪器等。

4、最大额定值

最大额定值

单位

最大额定值

单位

工作电压

5

V

功耗

10

mW

正向电流

10

mA

工作温度

-40~100

℃

焊接条件

260℃，10秒

存储温度

   -45~120

℃

 

5、参数性能（Ta=23℃）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

光敏面直径

Φ

4×1500

μm

光参数

光谱响应范围

λ

900～1700

nm

响应度

Re

VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw

0.85

0.90

A/W

VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw

0.90

0.95

响应线性饱和功率

VR =10m V

3

mW

电参数

暗电流

ID

VR=10mV

0.2

1.0

nA

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

50

V

电容

C

f=1MHz,VR=10mV

300

pF

分流电阻

Rsh

30

MΩ

6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)

                                                                            管脚接法

7、使用方法及注意事项

 

 

器件在零偏下使用

 

。

使用中防止剧烈震动、冲击，以免器件损坏。

 

 

在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净

 

。

在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

 

 

 

InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T由筱晓（上海）光子技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T价格、规格、特点、分类选择等信息，欢迎咨询厂家。除供应InGaAs PIN四元探测器MPGD3540T外，还可为您提供300GHz太赫兹源，射频输出功率80mW、Al2O3 标准带通滤光片 3600nm 直径50mm、6362E光谱仪 等耗材，公司有专业的客户服务团队，是您值得信赖的合作伙伴，筱晓光子客服电话400-860-5168转3429。
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