InGaAs PIN光电二极管MPGT3563T

InGaAs PIN光电二极管MPGT3563T

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筱晓（上海）光子技术有限公司
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InGaAs PIN光电二极管MPGT3563T

1、说明

基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。

2、特点

平面正照结构、低暗电流、高响应度、高可靠性、宽光谱响应范围。

3、应用

光功率计量、测量、监控，激光几何特性、光谱特性测量，自由空间光探测、接收，工业监控、医用等应用。

4、最大额定值

最大额定值

单位

最大额定值

单位

工作电压

0.5

V

最大耗散功率

100

mW

正向电流

10

mA

工作温度

-40~70

℃

焊接温度

260(10秒)

℃

存储温度

-40~85

℃

 

5、参数性能（Ta=23℃）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

光敏面直径

Φ

3000

μm

光参数

光谱响应范围

λ

900～1700

nm

响应度

Re

VR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW

0.80

A/W

VR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW

0.85

响应线性饱和功率

VR =10mV, Φ8μm单模光纤光斑

1

mW

电参数

暗电流

ID

VR=10mV

30

nA

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

5

V

电容

C

f=1MHz,VR=10mV

1.5

nF

分流电阻

Rsh

VR=10mV,φe=0

0.5

MΩ

备注

光电参数指标可以按用户要求。

 

6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)

标准封装：TO-5。

其他封装：按用户要求定制。

 

7、光谱响应曲线

 

8、使用方法及注意事项

器件在零偏下使用。

使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。

在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。

在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

 

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