InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T

InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T

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筱晓（上海）光子技术有限公司
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InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T

  

1、说明

基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。

2、特点

平面正照结构，快响应时间，大光敏面积，高响应度，高可靠性。

3、应用

光功率计量监控等仪器仪表，光谱、光纤特性测试，激光测距、激光雷达等空间通信，其他应用如光纤传感。

4、最大额定值

最大额定值

单位

最大额定值

单位

工作电压

15

V

最大耗散功率

100

mW

正向电流

10

mA

工作温度

-40~100

℃

焊接温度

260（10秒）

℃

存储温度

  -45~120

℃

 

5、参数性能（Ta=23℃）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

光敏面直径

Φ

800

μm

光参数

光谱响应范围

λ

900～1700

nm

响应度

Re

VR=5V，λ=1.3μm，Φe=100μW

0.90

A/W

VR=5V，λ=1.55μm，Φe=100μW

0.95

响应线性饱和功率

LR

VR =5V, λ=1.55μm

10

mW

响应度线性

δR

VR =5V，λ=1.55μm，

1μW～10mW

±0.1

dB

响应时间

tr

VR=5V,RL=50Ω

3.5

ns

电参数

暗电流

ID

VR=5V

2.0

10.0

nA

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

60

V

电容

C

f=1MHz,VR=5V

20

40

PF

分流电阻

RS

VR =10mV

50

MΩ

6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)

标准封装：5501、FC插拔。

其他封装：陶瓷载体、衰减膜及其他用户要求的形式。

7、特性曲线

8、使用方法及注意事项

器件在反偏下工作。

使用中防止剧烈震动、冲击，以免器件损坏。

在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。

在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

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